رمز بسيط، تكوّن من سلسلة روابط مُحاطة بدائرة، وهي رمز شائع للاتصال أو الارتباط التشعبي. تم تحديد خطوط الأيقونة بلون أسود داكن على الخلفية، مع إضافة عناصر عسكرية من الهوية الوطنية السعودية مثل الغترة والشماع والبشت السعودي، لتعكس الطابعة المحلية المميزة لجامعة القصيم.

روابط المواقع الالكترونية الرسمية التعليمية السعودية تنتهي بـ

edu.sa

جميع روابط المواقع الرسمية التعليمية التابعة للجهات الحكومية في المملكة العربية السعودية تنتهي بـ .edu.sa

علامة لفتة سوداء اللون من الجلد البسيط، قبضة بدائرة سوداء، يعلوها رسم واضحي لغترة سعودية مع شماع وعقال، تبرز معالم البشت السعودي في. يرمز هذا التصميم إلى مفهوم الأمان وخصوصية البيانات الرقمية يعكس هوية جامعة القصيم.
المواقع الالكترونية الحكومية تستخدم بروتوكول HTTPS للتشفير و الأمان.
المواقع الالكترونية الآمنة في المملكة العربية السعودية تستخدم بروتوكول HTTPS للتشفير.
هيئة الحكومة الرقمية
مسجل لدى هيئة الحكومة الرقمية برقم: 20260416249
شعار جامعة القصيم
فتح محرك البحث
بحث
بوابة الدخول الموحد MyQU
MyQU

أعضاء هيئة التدريس

المحتوى

يرتدي رجل يرتدي زيًا أبيض تقليديًا مع شماغ سعودي أحمر وأبيض داخل أحد المباني، مسجون في الكاميرا بتعبير حيادي كما لو كان يلتقط صورة لملف أعضاء هيئة التدريس في جامعة القصيم.
صورة عضو هيئة التدريس

محمد صالح نصار النصار

أستاذ مشارك
كلية الهندسة،
قسم هندسة كهربائية

البيانات الشخصية

  • msnsaar@qu.edu.sa
  • الساعات المكتبية
    Google Scholar
    OneDrive

    المؤهلات العلمية

    • بكالوريوس العلوم في الهندسة الكهربائية (مسار هندسة الإلكترونيات والاتصالات) - جامعة القصيم
    • ماجستير الهندسة (هندسة إلكترونية) - RMIT University
    • دكتوراه الفلسفة - RMIT University

    الاهتمامات البحثية

    • نمذجة مكونات ومواد الأنظمة الإلكترونية ومحاكاتها.
    • التعليم الهندسي

    الأبحاث المنشورة

    • Circular test structures for determining the specific contact resistance of ohmic contacts (2017-01-01)
    • Utilization of open‐source software in teaching the physics of P‐N diodes (2023-01-01)
    • MRS On-line Proc (2015-01-01)
    • Graphitic Schottky contacts to Si formed by energetic deposition (2015-01-01)
    • Optimising the Rectification Ratio of Schottky Diodes in n-SiC and n-Si by TCAD (2016-01-01)
    • Design and optimization of potentially low-cost and efficient MXene/InP Schottky barrier solar cells via numerical modeling (2024-01-01)
    • Discovering new pathways to improved performance of TFSA-doped single-layer graphene/n-Si Schottky barrier solar cells: A detailed numerical study (2024-01-01)
    • Temperature dependent electrical characteristics of rectifying graphitic contacts to p-type silicon (2019-01-01)
    • Simulation of graphitic contacts to p‐type Si using a metal‐resistor‐semiconductor (M‐R‐S) model implemented in TCAD (2018-01-01)
    • Improvement of Schottky power diode performance by electrode geometry and surround trenching of Schottky contact (2016-01-01)
    • A comparison of the tri-layer transmission line model and a finite element model for ohmic contact analysis (2017-01-01)
    • Optimisation of Schottky electrode geometry (2015-01-01)
    • A numerical modelling study of Ti3C2TX/n-Ge Schottky heterostructures: Identifying performance bottlenecks for future device optimisation (2026-01-01)
    • Performance Evaluation of 2D Material-Based Schottky Photovoltaics as Sustainable Indoor Light Energy Harvesters (2026-01-01)
    • PC1D as a computer-assisted learning tool in graduate-level solar PV courses (2020-01-01)
    • Highly Rectifying Silicon Schottky Contacts Using Energetically Deposited Graphitic Carbon (2017-01-01)
    • Circular Cross Kelvin Resistor test structure for low specific contact resistivity (2017-01-01)
    • Electrical characterisation of metal contacts to 4H-SiC enhanced by pre-metalisation surface treatment (2016-01-01)
    • Low temperature of formation of nickel germanide on crystalline germanium (2014-01-01)
    • Investigation of amorphisation of germanium using modeling and experimental processes (2013-01-01)
    • Utilization of open-source software in teaching the physics of P-N diodes (2023-02-12)
    • Temperature dependent electrical characteristics of rectifying graphitic contacts to p-type silicon (2019-01-01)
    • Simulation of graphitic contacts to p-type Si using a metal-resistor-semiconductor (M-R-S) model implemented in TCAD (2018-05-01)
    • A Comparison of the Tri-Layer Transmission Line Model and a Finite Element Model for Ohmic Contact Analysis (2017-01-01)
    • Electrical Characterisation of Metal Contacts to 4H-SiC Enhanced by Pre-Metalisation Surface Treatment (2016-01-01)
    • Circular Cross Kelvin Resistor test structure for low Specific Contact Resistivity (2017-01-01)
    • Improvement of Schottky power diode performance by electrode geometry and surround trenching of Schottky contact (2016-01-01)
    • Optimisation of Schottky electrode geometry (2015-01-01)
    • Low Temperature of Formation of Nickel Germanide on Crystalline Germanium (2014-01-01)
    • Investigation of amorphisatmn of germanium using modeling and experimental processes (2013-01-01)
    • A numerical modelling study of Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>X</sub>/n-Ge Schottky heterostructures: identifying performance bottlenecks for future device optimisation (2026-07-25)

    المواد التدريسية

    • EE 312
    • EE 419
    • PHYS 131
    • EE 492
    • EE 491

    اقتراحات

    بوابة الدخول الموحد
    إنجاز
    التعلم الإلكتروني
    البريد الإلكتروني
    دليل الخدمات
    خدمات الاستعلام

    ملفات تعريف الارتباط

    هذا الموقع يستخدم ملفات تعريف الارتباط الخاصة لضمان سهولة الاستخدام، وتحسين تجربتك أثناء التصفح، كما يوضح الأحكام والسياسات المتعلقة بخصوصية المستخدم. من خلال الاستمرار في تصفح هذا الموقع، فإنك تقر بقبول استخدام ملفات تعريف الارتباط، وما جاء في سياسة الخصوصية

    قبول